“全球首次极紫外光刻！三星7nm提前半年完工”

本篇文章592字，读完约1分钟

据报道，三星已经完成了7nm新技术的研发，比预期提前了半年。 这为三星和台湾积体电路制造争夺高通855代订单奠定了基础。

从16/14nm节点开始，三星和台湾积体电路制造的技术之争越来越激烈，投巨资加速新技术的推广。

目前，双方10纳米技术已经商用成功，其中台湾积体电路制造获得华为麒麟970、苹果a11，三星解决高通845。

在7nm技术方面，也有消息称，台湾积体电路制造继承成熟技术进展顺利，今年一季度投产，代理华为麒麟980，一同收获苹果a12、高通骁龙855。

三星在7nm的技术更先进，但是由于投入了难度非常高的euv极紫外光刻，是世界首次，预计今年下半年完成，但是提前了半年。

受此鼓舞，高通已经把新的芯片样本送到三星进行测试。 不知道是不是骁龙855。

在此之前，三星已经宣布7纳米工艺获得高通5g芯片的订单。 顺利进行后，即使获得驸龙855，也从水变成了水路。

据悉，三星7nm研发团队已经完成任务，全面转入5nm工艺的研发，但由于两个工艺共享设计数据库( db )，下一步的难度将大幅降低。

台湾积体电路制造计划在7nm升级版中试用euv极紫外光刻，预计明年。 全面应用euv获得年5纳米，这样将大大落后于三星。

英特尔方面的10纳米也还没有出来。 已经落后很多年了。 7nm再快也需要三四年。 euv APP没有时间表。

来源：重庆新闻